12나노D램 전략 과감하게 수정
여러팀 다른 방식으로 동시연구12나노(1b) D램 개발에 난항을 겪은 삼성전자가 다수의 개발팀을 통한 집단개발 체제에 나섰다. 내년 양산 목표는 반드시 달성해 기술 초격차 전략을 이어갈 계획이다. 5일 파이낸셜뉴스 취재 결과 삼성전자는 현재 다수 개발팀을 통한 12나노 D램 개발에 속도를 내고 있는 것으로 확인됐다. 최근 삼성전자 반도체연구소는 12나노로 밝힌 1b D램에 대한 연구개발(R&D)을 중도 포기한 바 있다.

이에 따라 삼성전자는 개발 궤도를 수정, 초미세공정이라는 미지의 영역에 여러 팀을 투입해 동시에 개척하는 방향으로 개발 프로세스를 운용하고 있다. 이 중 양산 가능성이 가장 높은 개발팀의 결과물을 채택하는 방식이다. 업계 관계자는 "12나노 D램 개발 드롭(포기)이 확정된 개발팀 소속 직원들은 다른 팀으로 이동됐다"면서 "현재 12나노 개발팀의 숫자는 복수이며, 이들은 이전과 완전히 다른 방식으로 각자 개발을 하고 있다"고 밝혔다. <본지 4월 13일자 1·3면 참조>

이 관계자는 "가능성이 없는 플랜A는 과감하게 폐기하고 플랜 B, C, D에 집중하는 것"이라며 "시장 수요에 대응하는 개발 사이클을 지키기 위해 최근 들어 훨씬 많은 인원과 투자가 필요한 상황"이라고 설명했다.

삼성전자는 또 양산 중인 1a(14나노)와 1b(12나노) 사이의 중간단계 제품으로, 'abs'라는 개념을 새로 만들고 자체 개발 중이다. 1b 직행에 기술한계를 경험한 삼성전자가 기존 1나노 이상이었던 개발 보폭을 좁혀 일종의 '보험'을 들어놓는 것이다.

황민성 삼성증권 팀장은 "목표로 한 양산 시점은 1b와 1abs가 내년 2·4분기 초로 같다"면서 "1abs가 웨이퍼당 칩 수는 조금 떨어지지만 1a 기반에서 파생된 기술인 만큼 수율을 조기에 확보하기에는 쉬울 것"이라고 설명했다. 황 팀장은 "1abs는 '기술이 어려워지는 시점에서 성숙한 제품을 적기에 제공하는 최적화가 우선'이라는 삼성전자의 설명과 맥락을 같이한다"고 덧붙였다.

삼성전자의 압도적 제조력을 통한 생산능력과 낮은 원가에 따른 마진 등 양산 경쟁력은 독보적이라는 게 업계의 평가다. 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 최근 콘퍼런스콜에서 "각사의 기술 수준이 높은 수준으로 수렴해 가면서 기술격차가 줄어든 것처럼 보이는 건 아주 자연스러운 현상"이라며 "컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 기반의 D램 등 기존 제품을 벗어난 새로운 시장에서 다양한 사업모델을 연구 중"이라고 말했다. 한편 일각에서 삼성전자가 1b를 건너뛰고, 11나노급인 1c로 직행할 것이란 보도가 있었으나 한 부사장은 공식 부인했다.