삼성전자는 31일 3분기 실적발표 후 컨퍼런스콜에서 "D램 생산에서 10나노급 공정의 비중이 올해 연말 70%후반에서 80%에 이를 것"이라고 밝혔다.

이어 "내년 상반기부터 10나노급 2세대(1y) 공정이 메인이 될 것"이라며 "10나노급 3세대(1z) 공정은 계획대로 양산중이며 고객사 상황을 보며 안정적으로 랩프업할 것"이라고 밝혔다.