SK하이닉스가 새해 10나노대 D램을 양산한다. 10나노대 D램 양산은 삼성전자에 이어 세계 두 번째다. SK하이닉스는 차세대 1x D램 개발 완료와 동시에 차차세대(1y나노) D램 개발 작업에 나선다. 차차차세대(1z나노) D램 개발팀도 꾸려 미래 경쟁력을 강화한다.

14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 프로젝트명 `아리우스(Alius)`로 알려진 1x D램 양산을 눈앞에 두고 있다. 시제품 웨이퍼는 이미 가공했다. 최종 신뢰성 테스트를 받고 있다. 통상 반도체 개발 과정에서 나오는 시제품 종류는 엔지니어링샘플(ES)과 커스터머샘플(CS)로 나뉜다. ES에서 일부 문제점을 고쳐 잡은 것이 바로 CS다. CS 제품이 신뢰성 테스트를 통과하면 개발을 완료했다고 본다. SK하이닉스는 1x D램 양산 체제를 앞당기기 위해 곧바로 CS를 내놓는 것으로 알려졌다. 개발 작업이 성공리에 이뤄졌다는 의미다.

내년 1분기 중에 경기도 이천 신공장인 M14에 일부 보완 장비 반입 등을 실시, 1x D램 양산을 준비한다. 2분기에는 양산에 들어갈 예정이다.

업계에선 SK하이닉스와 삼성전자 기술 격차가 2z D램 세대에서 약 1년 6개월로 크게 벌어졌다고 평가한다. 그러나 1x D램을 예정대로 내년 2분기에 양산하게 되면 이 격차는 1년 3개월 남짓으로 좁혀진다. 삼성전자는 1분기 1x D램 양산을 시작했다.

SK하이닉스는 1y, 1z 제품 개발에 속도를 높여 기술 격차를 계속 좁혀 나갈 계획이다. 차차세대 1y D램 `다빈치(Davinci)` 개발에 속도를 내는 한편 차차차세대 1z D램 `리젤(Rigel)` 개발 작업에도 본격 들어간다. 통상 메모리 업계는 차세대 제품이 개발 완료되면 한 세대와 두 세대 앞선 신제품을 동시 개발한다. 이른바 `+2` 전략이다. 마이크론은 아직 2z 제품도 제대로 양산하지 못하고 있는 것으로 전해지고 있다. SK하이닉스가 개발 속도를 높이면 삼성과의 격차는 줄고 후발 마이크론과의 격차는 벌어지게 된다.

SK하이닉스 목표는 프로젝트명에서도 잘 나타난다. 1x D램 프로젝트명인 아리우스는 라틴어로 `다른 세상`을 의미한다. 10나노대 D램은 20나노 D램과 비교하면 전류 누설 문제 해결, 전하를 저장하는 커패시터 용량 확보 등을 위해 메모리 셀 구조 혁신이 필요하다. 아리우스라는 프로젝트명은 기술 한계를 극복하고 또 다른 메모리 세계를 창조한다는 염원을 담았다. 다빈치는 르네상스 시대를 대표하는 이탈리아 미술가다. 1y D램이 SK하이닉스의 르네상스를 선도하는 기술 세대가 되길 바란다는 의미에서 이 같은 프로젝트명을 붙였다. 리갈은 오리온 자리에 있는 청색의 초거성이다. D램 역사상 가장 빛나는 기술 세대가 되겠다는 다짐으로 1z 기술 세대의 개발 프로젝트명을 리갈로 지었다.

업계 관계자는 “삼성전자에 이어 SK하이닉스가 1x D램 양산 체제를 구축하면 한국과 미국 간 메모리 기술 격차는 1~2년 늘어나는 셈”이라고 설명했다.

증권가에선 SK하이닉스 내년 실적이 사상 최고치를 기록할 것으로 내다보고 있다. 연간 영업이익 6조원을 제시한 증권사도 나왔다. 메모리 시황 호조세 지속, 원활한 기술 개발 등이 이유다.