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우리에게 익숙한 D램, 플래시메모리가 아닌 낯선 아이템 소식이 오랜만에 반도체업계에서 들려왔다. 그동안 연구개발(R&D) 단계에 머물러 온 차세대 메모리반도체인 자성메모리(M램)를 삼성전자가 상용화하기로 했다는 것이다. 

차세대 메모리반도체는 M램 이외에도 저항변화메모리(Re램), 상변화메모리(P램) 등 다양한 기술이 개발 단계 또는 상용화 초기 단계에 있다. 삼성전자가 차세대 메모리반도체 대표인 M램 시대를 열면서 세계 1위 메모리반도체 업체로서의 위상을 재확인했다. 

M램은 비휘발성 메모리면서 D램만큼 속도가 빠른 것이 특501이다. 이 때문에 업계는 당초 M램을 D램 대체 아이템으로 개발했다. 그러나 D램이 기술 진화로 양산 효율이 높아지면서 사용처가 모호해진 상황이었다. 삼성전자는 이를 직시, 우선 시스템반도체 파운드리(위탁생산) 서비스에 M램을 접목했다. M램을 시스템반도체 내장 메모리로 활용하면 시장 창출이 용이할 것이란 판단에서다. 첫 고객사로 NXP를 확정했고, 다음 달 공정 기술을 공개하며 거래처 확대에 나선다. 

D램, 낸드플래시 등 양산 단가가 지속적으로 떨어지는 주력 메모리반도체 시장을 차세대 메모리반도체로 대체한다는 것은 사실상 불가능하다. 특히 삼성전자는 현 D램·낸드플래시 시장을 리딩하는 상황이니 시도조차 할 필요가 없는 비현실적인 이야기다.

그럼에도 이번 삼성전자의 차세대반도체 상용화의 노력은 의미가 있다. 우선 D램 대체용으로 개발한 M램이 타깃 시장을 잃게 되자 비록 시장은 크지 않지만 시스템반도체 융합형 메모리라는 새로운 분야에 적용해 낸 순발력이 돋보인다. 또 D램처럼 이미 기존 업체들이 상을 차려 놓은 시장에서 '페스트팔로우'에 그치지 않고 모두가 주저하는 차세대반도체 시장에 가장 먼저 도전장을 내면서 진정한 '퍼스트무버' 자리에 올라섰다는 점이다.

메모리반도체 시장은 중국 등 후발 업체들의 도전이 거세다. 지속적인 초미세 가공 기술 개발과 M램 상용화 같은 다양한 시도가 경쟁사와의 기술 격차를 벌리고 시장 주도권을 확고히 하는 자양분이 되길 기대한다. 

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